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HSCT3060AL_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:49A 參數2:電壓VDSS:650V 參數3:RDON:33mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢

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這款碳化硅場效應管(MOSFET)具備49A的連續排水電流(ID),以及650V的最大漏源電壓(VDSS),能夠確保在高壓環境中穩定工作。該器件導通電阻(RDSON)僅為33毫歐,在導通狀態下能有效降低功耗。其柵源電壓(VGS)閾值范圍從-5V到@0V,提供了寬泛的控制信號兼容性。作為N溝道類型,此MOSFET適用于高頻開關電源、電信設備以及其他需要高性能、高效率轉換的應用中。

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