AP10NB2R0TL_TOLL_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLL 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:350A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:1.4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有出色的電氣性能，最大漏極電流可達350A，擊穿電壓高達100V，導(dǎo)通電阻僅為1.4mΩ。其柵源電壓范圍為20V，確保了在各種復(fù)雜電路環(huán)境下的穩(wěn)定工作能力。該MOSFET適用于高效能開關(guān)電源、太陽能逆變器及各類精密電子設(shè)備中的快速切換與信號放大應(yīng)用，能夠顯著提升系統(tǒng)的效率與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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