AP3A022M_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:12mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款NN溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備10A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻僅為12mΩ，確保了高效能與低發(fā)熱。其柵源電壓范圍可達±20V，支持廣泛的電路設(shè)計需求。該MOSFET適用于各種開關(guān)電源、電池管理及信號放大電路中，能夠?qū)崿F(xiàn)快速響應(yīng)與穩(wěn)定工作性能，是高性能電子產(chǎn)品設(shè)計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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