AP3N9R5AH_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具備出色的電氣特性，最大漏極電流ID可達60A，最高漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至7mΩ，在VGS=20V時可實現高效導通。該MOSFET適用于需要快速開關和低損耗的電路設計，如電源管理、電池充電控制以及各類電子設備中的信號放大與轉換等應用場景。其緊湊的設計和高性能表現，使其成為現代電子產品中不可或缺的關鍵組件之一。
