AP3NA7R2MT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻僅為4.7mΩ，在20V柵源電壓下表現出色。其低導通電阻特性有助于減少發熱，提高能效，適用于需要高效轉換和開關操作的應用場景。該MOSFET適合用于電源管理、電池充電控制以及各種電子設備中的信號調節電路。
