AP3P021YT_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:25A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:16mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該款P溝道MOSFET具備25A的連續(xù)漏極電流（ID/A）和30V的最大漏源電壓（VDSS/V），確保了其在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性能。其導(dǎo)通電阻僅為16mΩ（RDON/mR），在大電流條件下仍能保持較低的功耗，提高了整體效率。此MOSFET支持最高20V的柵源電壓（VGS/V），適用于多種電源轉(zhuǎn)換和管理電路中，如開關(guān)電源、電池充電器以及各類電子設(shè)備的負(fù)載切換控制等場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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