AP4438GYT_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:9mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備30A的最大連續漏極電流（ID）及30V的漏源極耐壓（VDSS），適用于多種需要高性能開關或電源管理的電路。其低至9mΩ的導通電阻（RDS(on)）有助于減少發熱，提高系統效率。該器件支持最高±20V的柵源電壓（VGS），確保了在復雜電路環境中的穩定操作。此MOSFET特別適合用于需要快速開關響應和低損耗的應用場合，如電池供電設備、便攜式電子產品中的電源轉換和控制。
