AP3P011YT_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:55A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款P溝道MOSFET具有55A的連續(xù)漏極電流(ID/A)和30V的最大漏源電壓(VDSS/V)，適用于要求高效能和高可靠性的電路設(shè)計。其導(dǎo)通電阻僅為8mΩ(RDON/mR)，顯著降低了工作時的熱損耗，提升了系統(tǒng)的整體效率。該MOSFET支持20V的柵源電壓(VGS/V)，能夠適應(yīng)廣泛的驅(qū)動電壓需求。這款器件特別適合應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理和電子負(fù)載控制等場景，是高性能電子產(chǎn)品設(shè)計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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