AP4A025M_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:12A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:16mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道增強型場效應管（MOSFET）具有出色的電氣性能，最大漏極電流ID可達12A，最高漏源電壓VDSS為40V，導通電阻RDON低至16mΩ，在VGS為20V時表現尤為突出。該MOSFET適用于多種電路設計，如電源管理、信號切換及頻率轉換等場合，能夠提供高效能與高可靠性的解決方案。其緊湊的設計和卓越的熱穩定性使其成為精密電子設備的理想選擇。
