AP4P090N_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:68mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有5A的最大連續(xù)漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），適合用于要求精確電流控制的電路中。其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為68mΩ，在降低功率損耗的同時提高了效率。該MOSFET的柵源電壓（VGS）范圍是±20V，能夠適應(yīng)廣泛的驅(qū)動條件。此元件特別適用于電池供電設(shè)備中的電源管理、信號切換及負載控制等應(yīng)用，確保系統(tǒng)運行的可靠性和穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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