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AP60SL600AIN_TO-220F_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:電流ID:16A 參數2:電壓VDSS:650V 參數3:RDON:450mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢

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此款N溝道場效應管(MOSFET)擁有16A的最大連續漏極電流(ID)和650V的漏源極斷態電壓(VDSS),在30V的柵源極電壓(VGS)條件下,其導通電阻(RDON)僅為450毫歐。這種高性能MOSFET適用于多種電子設備,如高效能開關電源、逆變器和電池管理系統中的信號處理與轉換。其低導通電阻特性有助于降低功耗,提高系統的整體效率,同時保證了在各種應用場景下的可靠性和穩定性。

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