SM3303PSQGC-TRG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:55A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:8mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道MOSFET場效應管擁有55A的最大連續漏極電流（ID/A）和30V的最大漏源極電壓（VDSS/V），適用于需要高電流處理能力的應用場景。其導通電阻低至8毫歐（RDON/mR），有效減少了工作時的功率損耗，提高了效率。該器件支持最高±20V的柵源極電壓（VGS/V），確保了廣泛的兼容性和穩定性。這款MOSFET適用于電源轉換、電池管理系統以及各種需要快速、精確開關控制的電子設備中，能夠提供可靠且高效的性能表現。
