APM2315AC-TRG_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.1A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:34mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道MOSFET擁有4.1A的最大連續漏極電流（ID）及20V的漏源擊穿電壓（VDSS），適合于要求高性能開關特性的應用。其導通電阻（RDS(on)）低至34mΩ，在10V的柵源電壓（VGS）條件下，可顯著降低發熱，提升能效。該元件廣泛應用于電源管理、信號處理等領域，作為關鍵的開關或放大組件，有助于構建更加高效、穩定的電路系統。
