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SM4804DSKC-TRG_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:10A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:12mR 參數4:溝道類型:N+N 標價:歡迎咨詢

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這款N溝道場效應管(MOSFET)設計用于要求嚴格的電子應用,其主要參數包括:最大漏極電流(ID)為10A,最大漏源電壓(VDSS)為30V,導通電阻(RDS(on))低至12mΩ,支持的柵源電壓(VGS)范圍可達±20V。這些特性使得該MOSFET在開關電源、電池管理和信號處理等電路中表現出色,能夠有效降低能耗,提高系統的整體性能和可靠性。其卓越的電氣特性和穩定性,使其成為眾多精密電子項目中的理想選擇。

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