SM2316NSAC-TRG_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5.8A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:21mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有出色的電氣性能，其最大漏極電流ID可達5.8A，最高漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至21mΩ，確保了高效的電力傳輸。該元件的工作電壓范圍寬，VGS可承受高達12V的柵源電壓，適用于多種電路設計中作為開關或放大元件。其低導通電阻特性尤其適合于要求高效率、低功耗的應用場合，如電源管理、消費電子設備中的信號處理等。
