DMN62D0UDWQ-7_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.1A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:1300mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下電氣特性：最大漏極電流ID為0.1A，最高漏源電壓VDSS為60V，導通電阻RDON為1300mΩ，柵源電壓范圍VGS為±20V。這款MOSFET適用于需要高效率開關操作的電路中，如電源管理、電池保護和信號切換等應用場合。其低導通電阻有助于減少發熱，提高系統整體能效。同時，該器件的小型化設計有利于節省PCB空間，適合于緊湊型電子產品設計。
