IPD220N06L3G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:15mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）擁有50安培的最大連續(xù)漏極電流（ID）和60伏的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于高效能電源管理設計。其導通電阻（RDS(on)）僅為15毫歐，在20伏的柵源驅動電壓（VGS）下工作時，可有效降低熱耗散，提升轉換效率。該元件具備出色的開關特性與低損耗性能，適用于多種高密度、高性能的電子設備中，如復雜的電源供應系統(tǒng)和精密的電路保護方案，確保在緊湊空間內實現高效、穩(wěn)定的操作。
