IPD650P06NM_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:55mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有20安培的最大漏極電流（ID）和60伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于高電壓和中等電流的應(yīng)用場(chǎng)合。其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為55毫歐，保證了較低的功率損耗，有助于提高電路效率并減少熱量產(chǎn)生。該元件的柵源開啟電壓（VGS）設(shè)定在20伏，確保了穩(wěn)定的操作性能。此MOSFET適合用于需要高效開關(guān)操作和良好熱管理的電子設(shè)備中，例如電源管理模塊、電池充電控制以及各種便攜式電子裝置中的負(fù)載切換應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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