ST18N10D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:15A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:100mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管(MOSFET)具備15A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓達到100V，確保了在較高電壓應用中的可靠性。其導通電阻僅為100mΩ，有效降低了工作時的能量損耗，提高了效率。柵源電壓范圍為20V，提供了良好的驅動兼容性。這款MOSFET適用于需要精確控制與高效能量轉換的電路設計中，如電源管理、開關模式電源以及各類電子設備內的信號處理環節。
