Si2351DS_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:2.3A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:120mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管(MOSFET)擁有2.3A的持續漏極電流(ID)能力，能夠承受最高20V的漏源電壓(VDSS)，適用于對功率要求適中的應用場景。其導通電阻僅為120mΩ(RDON)，有助于減少工作時的熱損耗。此MOSFET支持高達12V的柵源電壓(VGS)，確保了在多種電路設計中靈活可靠的操作性能。它適合用于消費電子設備、家用電器等場合，在這些領域內可作為高效的開關或信號控制元件使用。
