RS3E075ATTB_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:11A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:13mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款MOSFET為P溝道類型，具有11A的連續(xù)漏極電流（ID/A），可承受的最大漏源電壓（VDSS）為30V。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為13毫歐，適用于需要低損耗導(dǎo)通的應(yīng)用。柵源電壓（VGS）最大可達(dá)±20V，確保了良好的驅(qū)動性能與控制精度。該MOSFET適用于需要高效能、高可靠性開關(guān)的應(yīng)用場合，如便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理或消費(fèi)類電子設(shè)備中的信號開關(guān)等。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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