RQ3E150GNTB_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有高達(dá)60A的連續(xù)漏極電流（ID），適用于大電流需求的電路設(shè)計(jì)。其最大工作電壓（VDSS）為30V，適合多種低壓應(yīng)用場合。導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為4毫歐，能夠顯著降低能耗，提升系統(tǒng)的整體效率。該MOSFET的最大柵源電壓（VGS）為20V，保證了良好的驅(qū)動兼容性和控制精度。這些特性使其成為開關(guān)電源、電機(jī)控制及高功率密度轉(zhuǎn)換解決方案中的關(guān)鍵元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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