IRLR3717PbF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）擁有80安培的最大持續漏極電流（ID）和20伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于需要高效電流控制的電路。其導通電阻（RDON）僅為3.5毫歐，有助于降低功耗，提高系統的整體效率。柵源極閾值電壓（VGS）為12伏，確保了在多種應用場景下的穩定驅動性能。此器件特別適合用于電源轉換、負載開關以及電池管理等電路中，能夠實現快速、可靠的開關操作，并支持緊湊設計中的熱管理優化。
