AON7407_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:12mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）支持最高30A的連續(xù)漏極電流（ID），并在20V的最大漏源電壓（VDSS）下穩(wěn)定運行。其導通電阻（RDSON）僅為12毫歐，在柵源電壓（VGS）為12V時提供優(yōu)異的導電性能。該MOSFET適用于各類電子設(shè)備中的負載開關(guān)、電源管理和邏輯電平轉(zhuǎn)換等應(yīng)用，有助于簡化電路設(shè)計并提高系統(tǒng)的整體效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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