IRF9333TRPBF_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:11A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具有11A的連續排水電流（ID），最大可承受的漏源電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDSON）僅為13毫歐，在柵源電壓（VGS）達到20V時能有效工作。此MOSFET適用于設計中需要高效能、低損耗特性的電路，如便攜式設備的電源管理模塊或消費電子產品中的開關應用，能夠在保證電路穩定的同時，減少能量損耗。其緊湊的設計與低導通電阻特性使其成為便攜式與電池供電設備的理想選擇。
