NVTFS5124PLTWG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:70mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）擁有20安培的最大連續漏極電流（ID）和60伏的漏源極斷態電壓（VDSS），適用于需要高電流承載能力和穩定電壓性能的電路設計。其導通電阻（RDON）僅為70毫歐，這有助于在大電流通過時降低能量損耗，并減少發熱。柵源極電壓（VGS）為20伏，確保了元件在高電壓條件下的可靠工作。此MOSFET適合用于要求高效能開關操作及低電阻路徑的應用中，例如電源轉換、負載控制或精密電子設備內的信號處理電路。
