PHB32N06LT,118_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備30A的連續電流承載能力（ID），最大可承受漏源電壓（VDSS）為60V，導通電阻（RDSON）僅為22毫歐，在柵源電壓（VGS）最高可達20V的情況下提供高效的開關性能。該MOSFET適用于要求高效能與低損耗的應用場景，如便攜式設備充電管理、電源適配器中的開關調節以及消費類電子產品中的電源管理等。其優良的電氣特性使其成為設計中實現高性能轉換的關鍵元件。
