SI2333CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:7A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:20mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管(MOSFET)具備7A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為20V。其導通電阻僅為20毫歐姆，柵源電壓范圍可達12V。適用于需要緊湊設計與高效能表現的小型電子設備中，例如便攜式消費電子產品內的電源管理、負載開關及信號控制等場景。低導通電阻有助于減少能耗，提高系統整體效率。
