AIMW120R080M1XKSA1_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:36A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具有出色的電氣特性，其最大工作電流ID/A為36A，可承受的漏源電壓VDSS/V為1200V。導通狀態下，其RDSON/mΩ僅為80毫歐，有助于減少能量損耗。柵源電壓VGS/V的規格為±20V，使得該組件能夠在多種電路配置中實現穩定的性能。由于碳化硅材料固有的優勢，這種MOSFET能夠在高溫和高頻條件下工作，適用于高性能電力轉換及逆變技術領域，為設計者提供了構建緊湊且高效的電力處理系統的可能性。
