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SC102N170T8L_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:5A 參數2:電壓VDSS:1700V 參數3:RDON:1000mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢

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此款碳化硅場效應管(MOSFET)具備N溝道結構,最大工作電流ID/A達到5A,能夠承受的最大漏源電壓VDSS/V為1700V。導通電阻RDSON/mΩ為1000毫歐,確保了在導通狀態下的損耗較低。柵源電壓VGS/V的最大絕對值為20V,適用于要求高耐壓和高效能的電路設計中,特別是在需要高頻開關操作的應用場景下,該MOSFET可以提供優越的性能表現。其材料特性賦予了更好的熱穩定性和耐用性,適合用于要求嚴苛的電力轉換系統。

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