G3R40MT12K_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:63A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具有63A的連續(xù)電流ID/A，適用于需要高效能的應(yīng)用場景。其最大漏源電壓VDSS/V為1200V，提供穩(wěn)定的高壓操作保障。該器件的導(dǎo)通電阻RDON為32毫歐，有效降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。柵源電壓VGS/V為±15V，確保了精確的控制信號傳輸。此MOSFET適用于高頻開關(guān)電源、可再生能源轉(zhuǎn)換裝置等領(lǐng)域，能夠在嚴(yán)苛環(huán)境下保持良好的工作性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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