IMZA65R048M1H_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:49A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），型號(hào)ID:49A，具有650V的漏源擊穿電壓VDSS，適用于需要高耐壓保護(hù)的應(yīng)用場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻RDON僅為45mΩ，有助于減少功率損耗，提高能效。柵極源極電壓VGS范圍為-4V至!8V，確保了寬范圍的操作條件下的穩(wěn)定性與可靠性。此款MOSFET憑借其卓越的開(kāi)關(guān)性能和低能耗特性，非常適合應(yīng)用于高效電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如高端電源管理和可再生能源設(shè)備中，是實(shí)現(xiàn)高性能、低維護(hù)解決方案的關(guān)鍵組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
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