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SCTW40N120G2V_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:36A 參數2:電壓VDSS:1200V 參數3:RDON:80mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢

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這款N溝道碳化硅場效應管(MOSFET)具有36A的連續電流ID能力,適用于多種高效率電力轉換應用。其最大漏源電壓VDSS為1200V,適用于高壓工作條件。導通電阻RDSON為80毫歐,有助于降低能耗。柵源電壓VGS最高可達20V,便于匹配不同的驅動需求。此MOSFET適用于需要高壓、低功耗特性的設計方案,如高性能的電源模塊、智能電網設備中的逆變技術以及高效的能源轉換裝置。

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