NVH4L160N120SC1_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:19A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該款碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有N溝道結(jié)構(gòu)，其設(shè)計(jì)允許最大連續(xù) drain 電流（ID）為 19A，并且能夠承受高達(dá) 1200V 的漏源電壓（VDSS）。該器件的導(dǎo)通電阻（RDSON）為 160毫歐，在柵源電壓（VGS）達(dá)到 20V 時(shí)提供穩(wěn)定的開關(guān)操作。這些特性使其非常適合用于需要高效率與可靠性的電子設(shè)備中的電源轉(zhuǎn)換和管理電路。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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