HC1M320120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:7A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:320mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款碳化硅場效應管（MOSFET），標識為ID:7A，擁有1200V的漏源擊穿電壓（VDSS），確保了在高壓應用中的可靠性。作為一款N溝道器件，它具備320毫歐姆的導通電阻（RDON），能夠在導通狀態下有效減少能量損失。這種特性使其成為需要高壓及高效能解決方案應用的理想選擇，例如在精密電源管理系統、高速開關電源以及對功率密度有較高要求的場合中發揮關鍵作用。
