HXY18N20D_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:18A 參數(shù)2：電壓VDSS:200V 參數(shù)3：RDON:180mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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HXY18N20D 場(chǎng)效應(yīng)管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封裝，提供 18A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 200V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。具備 180mΩ 的導(dǎo)通電阻 (RDON)，有效減少能量損耗。支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，確保在不同電路條件下的穩(wěn)定性和可靠性。N 溝道設(shè)計(jì)，適用于多種開關(guān)控制和電路保護(hù)應(yīng)用。選擇 HXY18N20D，為您的項(xiàng)目提供強(qiáng)大的性能支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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