HXY18N20D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:18A 參數2：電壓VDSS:200V 參數3：RDON:180mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
HXY18N20D 場效應管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封裝，提供 18A 的連續漏極電流 (ID) 和 200V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。具備 180mΩ 的導通電阻 (RDON)，有效減少能量損耗。支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，確保在不同電路條件下的穩定性和可靠性。N 溝道設計，適用于多種開關控制和電路保護應用。選擇 HXY18N20D，為您的項目提供強大的性能支持。
