HXY60N02DF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
HXY60N02DF 場效應管 (MOSFET)，采用 DFN3X3-8L 封裝，提供 60A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 20V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。其導通電阻 (RDON) 低至 4mΩ，有助于減少功耗，提高效率。支持 ±12V 的柵源電壓 (VGS)，確保在不同電路中的穩(wěn)定性能。N 溝道設計，適用于多種開關控制和電路保護應用。選擇 HXY60N02DF，為您的項目提供高性能保障。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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