FQD5N60CTM_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:4A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:2400mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）設計有4A的額定電流ID，能夠承受高達650V的漏源電壓VDSS，適用于需要高壓處理的電子裝置。其擁有2.4Ω的導通電阻RDSS，在確保低能耗的同時，減少了熱生成，優化了設備性能。該MOSFET兼容±30V的柵源電壓VGS，增加了在復雜電路環境中的適用性。它可以在各種消費電子產品中找到用途，例如適配器、充電器以及家用電器的電源控制部分，作為關鍵的開關或穩壓組件。
