HXY60P02DF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:7mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
HXY60P02DF 場效應管 (MOSFET)，采用 DFN3X3-8L 封裝，提供 60A 的連續漏極電流 (ID) 和 20V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。具備 7mΩ 的低導通電阻 (RDON)，有助于降低功耗，提高轉換效率。支持 ±12V 的柵源電壓 (VGS)，確保在不同應用場景下的穩定性和可靠性。P 溝道設計，適合于各種精密電路控制需求。選擇 HXY60P02DF，體驗高性能電子組件的卓越表現。
