HXY3419ADF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:55A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:8mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
HXY3419ADF 場效應管 (MOSFET)，采用 DFN3X3-8L 小型封裝，具備 55A 的連續漏極電流 (ID) 和 30V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。其導通電阻 (RDON) 低至 8mΩ，有效減少發熱，提高能效。支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，確保在多樣的電路環境中穩定工作。P 溝道設計，適用于各種精密控制和轉換應用。選擇 HXY3419ADF，為您的項目帶來高效可靠的解決方案。
