HXY80N06BD_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
HXY80N06BD 場效應(yīng)管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封裝，提供 80A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 60V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。其導(dǎo)通電阻 (RDON) 低至 6.5mΩ，有效減少熱量產(chǎn)生，提高工作效率。±20V 的柵源電壓 (VGS) 范圍，確保在多種電路配置中穩(wěn)定運行。N 溝道設(shè)計，適用于廣泛的電路保護和開關(guān)控制應(yīng)用。選擇 HXY80N06BD，為您的項目增添高性能保障。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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