HXY5P03SI_SOT-89_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-89 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:1000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:5A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:50mR 參數(shù)4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
HXY5P03SI 場效應(yīng)管 (MOSFET),采用 SOT-89 封裝,提供 5A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 30V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。具備 50mΩ 的導(dǎo)通電阻 (RDON),有助于減少功耗,提高系統(tǒng)效率。支持 ±12V 的柵源電壓 (VGS),確保在不同應(yīng)用場景下的穩(wěn)定性能。P 溝道設(shè)計,適用于多種電路保護和開關(guān)控制應(yīng)用。選擇 HXY5P03SI,為您的項目提供可靠的解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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