NVMFD5853NLA_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:55A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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NVMFD5853NLA 場效應(yīng)管 (MOSFET)，采用先進(jìn)的 DFN5X6-8L 封裝，具備 55A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 40V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。其低至 6.5mΩ 的導(dǎo)通電阻 (RDON) 極大地降低了功耗，提高了轉(zhuǎn)換效率。±20V 的柵源電壓 (VGS) 范圍，確保了在多種電路配置下的兼容性和穩(wěn)定性。NVMFD5853NLA 是追求高效能和小尺寸設(shè)計(jì)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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