APT50GR120B2-HXY_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.9V 參數(shù)4：二極管正向電流:2.7A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款I(lǐng)GBT管/模塊集電極電流（Ic）為50A，集射極擊穿電壓（Vces）可達(dá)1200V，具備較高的耐壓能力，適合中高功率應(yīng)用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，在導(dǎo)通狀態(tài)下能保持較好的能效表現(xiàn)。內(nèi)置二極管可承受50A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.7V，適用于對穩(wěn)定性與開關(guān)性能有一定要求的電路設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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