AFGHL75T65SQ-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數(shù)1：電流IC:75A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該IGBT模塊具備75A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），適合多種中高功率應(yīng)用場(chǎng)景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的能量損耗。內(nèi)部二極管支持75A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，表現(xiàn)出良好的導(dǎo)通特性與熱穩(wěn)定性。模塊設(shè)計(jì)兼容標(biāo)準(zhǔn)安裝方式，便于散熱和系統(tǒng)集成，適用于電力電子變換、高效能電機(jī)驅(qū)動(dòng)及精密能源調(diào)控等場(chǎng)合，具備較高的可靠性與耐用性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

AFGHL75T65SQ-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:75A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數(shù)1：電流IC:75A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)