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IRGP4263-EPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該IGBT模塊具有50A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），支持高功率密度設(shè)計(jì)。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有效降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。內(nèi)置二極管具備50A正向電流（IF）耐受能力，正向壓降（Vf）為1.85V，增強(qiáng)續(xù)流性能與熱穩(wěn)定性。適用于電源轉(zhuǎn)換、能源管理及高性能電力電子裝置中，滿(mǎn)足高效、高可靠性應(yīng)用需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRGP4263-EPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)