APT40GR120B-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.9V 參數(shù)4：二極管正向電流:2.5A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款I(lǐng)GBT管/模塊典型集電極電流為40A，集射極擊穿電壓達(dá)1200V，具備較強(qiáng)的高電壓和大電流承載能力。其集射極飽和電壓為1.9V，在導(dǎo)通狀態(tài)下可有效降低功率損耗。內(nèi)部反并聯(lián)二極管支持40A正向電流，正向壓降為2.5V，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。該器件適合用于電源變換、電機(jī)控制及儲能系統(tǒng)等場景，具備良好的熱穩(wěn)定性與可靠性，能夠適應(yīng)較復(fù)雜的工作環(huán)境，滿足高效能功率轉(zhuǎn)換需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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