MIW40N65RA-BP-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.8A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
該IGBT模塊具備40A的集電極電流(Ic)與650V的集射極擊穿電壓(Vces)，適用于中高功率電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V，在保證性能的同時(shí)兼顧導(dǎo)通壓降控制。內(nèi)部續(xù)流二極管支持40A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.8V，具備良好的電流承載與續(xù)流特性。模塊封裝設(shè)計(jì)穩(wěn)定，適用于多種高效能電源系統(tǒng)，提供可靠的開關(guān)表現(xiàn)和熱管理能力。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
