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MSG15T65FL_TO-220F_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-220F 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:50/管裝 參數(shù)1:電流IC:15A 參數(shù)2:電壓VCE:650V 參數(shù)3:VCE(Sat):1.79V 參數(shù)4:二極管正向電流:1.68A 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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本IGBT管/模塊具備15A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces),適用于多種中高功率電力電子應(yīng)用。導(dǎo)通狀態(tài)下,集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.79V,有助于實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗。內(nèi)部集成的續(xù)流二極管可承受15A的正向電流(IF),其正向壓降(Vf)為1.68V,具備良好的導(dǎo)通效率與恢復(fù)性能。該器件采用高可靠性封裝工藝,具備優(yōu)良的散熱與絕緣特性,適用于高頻開關(guān)電源、變頻控制裝置及智能能源系統(tǒng)等對(duì)穩(wěn)定性和效率有較高要求的場(chǎng)景。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話:18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014