MSG15T65FL_TO-220F_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：50/管裝 參數1：電流IC:15A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.79V 參數4：二極管正向電流:1.68A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備15A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于多種中高功率電力電子應用。導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.79V，有助于實現較低的導通損耗。內部集成的續流二極管可承受15A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為1.68V，具備良好的導通效率與恢復性能。該器件采用高可靠性封裝工藝，具備優良的散熱與絕緣特性，適用于高頻開關電源、變頻控制裝置及智能能源系統等對穩定性和效率有較高要求的場景。
