IKQ140N120CH7XKSA1-HXY_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:140A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.55V 參數4：二極管正向電流:2.01A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備140A的集電極電流（Ic）與1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適合高功率密度場景的應用需求。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.55V，有效降低導通狀態下的能量損耗，提升整體能效表現。內部集成二極管可支持140A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.01V，具有良好的熱穩定性和快速恢復能力。模塊設計兼顧可靠性和兼容性，適用于多種高效電力轉換設備的構建與優化。
